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http://hdl.handle.net/10773/10198
Título: | RF parametric amplifiers |
Outros títulos: | Amplificadores paramétricos de RF |
Autor: | Barradas, Filipe Miguel Esturrenho |
Orientador: | Pedro, José Carlos Esteves Duarte Cabral, Pedro Miguel da Silva |
Palavras-chave: | Engenharia electrónica Transmissão de sinal Amplificadores de transistores |
Data de Defesa: | 2012 |
Editora: | Universidade de Aveiro |
Resumo: | Recentemente tem-se feito um esforço no sentido de aumentar a
eficiência em aplicadores de RF, no entanto, o transístor é um
dispositivo intrinsecamente ineficiente. Utilizando amplificadores
paramétricos pode-se teoricamente chegar a 100% de eficiência mesmo
operando em modo linear.
A razão desta elevada eficiência é o dispositivo activo utilizado, já que
os amplificadores paramétricos utilizam uma reactância controlada, que
não consome potência. Esta mudança de elemento activo modifica
completamente o princípio de funcionamento dos amplificadores.
Neste trabalho este tipo de amplificação é estudado, relações e transformações conhecidas são examinadas primeiro para obter propriedades
limite gerais. Depois é feita análise de pequeno sinal para se obterem
outras características importantes. Finalmente, um novo modelo de
grande sinal é derivado e apresentado. Este modelo é capaz de prever
algumas características do amplificador, tal como o AM/AM.
Utilizando o modelo de grande sinal apresentado projecta-se um amplificador, sendo este posteriormente simulado. In recent years a significant effort has been made towards efficiency increase in RF amplifiers. The transistor is, however, an intrinsically inefficient device. Parametric amplification can theoretically be 100% efficient even operating in linear mode. The reason behind this efficiency is the active device. These amplifiers forget the transistor to use a controlled reactance, which cannot consume power. This switch in active element changes the whole principle of operation of the amplifiers. In this work this type of amplification is studied. Known relations and transformations are first examined to obtain general limit properties of the used elements. Then small-signal analysis is performed to obtain other important characteristics. Finally, a novel large signal model is developed and presented. This model is capable of accurately predicting the non-linear responses of the amplifier, such as the AM/AM. Using the presented large-signal model, an amplifier is designed and simulated. |
Descrição: | Mestrado em Engenharia Electrónica e Telecomunicações |
URI: | http://hdl.handle.net/10773/10198 |
Aparece nas coleções: | UA - Dissertações de mestrado DETI - Dissertações de mestrado |
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