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Data | Título | Autor(es) | Tipo | Acesso |
---|---|---|---|---|
1996 | 2.2 eV luminescence in GaN | Hofmann, D. M.; Kovalev, D.; Steude, G.; Volm, D.; Meyer, B. K.; Xavier, C.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Mokov, E. N.; Amano, H.; Akasaki, I. | conferenceObject | |
1999 | Photoluminescence between 3.36 eV and 3.41 eV from GaN epitaxial layers | Seitz, R.; Gaspar, C.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Poisson, M.A.; Beaumont, B. | conferenceObject |
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