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21-Out-2010
Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation
Magalhães, S.
;
Peres, M.
;
Fellmann, V.
;
Daudin, B.
;
Neves, A.J.
;
Alves, E.
;
Monteiro, T.
;
Lorenz, K.
article
Jan-2001
Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa1 - xN layers
Pereira, S.
;
Correia, M.R.
;
Monteiro, T.
;
Pereira, E.
;
Alves, E.
;
Sequeira, A.D.
;
Franco, N.
article
3-Nov-2009
Structural and optical properties of Zn0.9 Mn0.1 O/ZnO core-shell nanowires designed by pulsed laser deposition
Kaydashev, V.E.
;
Kaidashev, E.M.
;
Peres, M.
;
Monteiro, T.
;
Correia, M.R.
;
Sobolev, N.A.
;
Alves, L.C.
;
Franco, N.
;
Alves, E.
article
28-Jan-2010
Optical doping and damage formation in AIN by Eu implantation
Lorenz, K.
;
Alves, E.
;
Gloux, F.
;
Ruterana, P.
;
Peres, M.
;
Neves, A. J.
;
Monteiro, T.
article
Mar-2001
Green, red and infrared Er-related emission in implanted GaN:Er and GaN:Er,O samples
Monteiro, T.
;
Soares, J.
;
Correia, M.R.
;
Alves, E.
article
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Autor
3
Correia, M.R.
3
Peres, M.
2
Franco, N.
2
Lorenz, K.
1
Alves, L.C.
1
Daudin, B.
1
Fellmann, V.
1
Gloux, F.
1
Kaidashev, E.M.
1
Kaydashev, V.E.
.
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Assunto
4
Wide band gap semiconductors
3
Gallium compounds
2
Aluminium compounds
2
Annealing
2
Ion implantation
2
Photoluminescence
2
Rutherford backscattering
1
Alumina
1
annealing
1
Catalysts
.
próximo >
Data de Publicação
2
2010
1
2009
2
2001