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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
1-Dez-2018Growth of Sb2Se3 thin films by selenization of RF sputtered binary precursorsShongalova, A.; Correia, M. R.; Teixeira, J. P.; Leitão, J. P.; González, J. C.; Ranjbar, S.; Garud, S.; Vermang, B.; Cunha, J. M. V.; Salomé, P. M. P.; Fernandes, P. A.articleopenAccess
28-Fev-2018Fluctuating potentials in GaAs:Si nanowires: critical reduction of the influence of polytypism on the electronic structureSedrine, N. Ben; Ribeiro-Andrade, R.; Gustafsson, A.; Soares, M. R.; Bourgard, J.; Teixeira, J. P.; Salomé, P. M. P.; Correia, M. R.; Moreira, M. V. B.; Oliveira, A. G. de; González, J. C.; Leitão, J. P.articleopenAccess
9-Abr-2020Electronic conduction mechanisms and defects in polycrystalline antimony selenideCifuentes, N.; Ghosh, S.; Shongolova, A.; Correia, M. R.; Salomé, P. M. P.; Fernandes, P. A.; Ranjbar, S.; Garud, S.; Vermang, B.; Ribeiro, G. M.; González, J. C.articleopenAccess
Mar-2019Voids in kesterites and the influence of lamellae preparation by focused ion beam for transmission electron microscopy analysesRibeiro-Andrade, R.; Sahayaraj, S.; Vermang, B.; Correia, M. R.; Sadewasser, S.; Gonzalez, J. C.; Fernandes, P. A.; Salomé, P. M. P.articleopenAccess
15-Ago-2019Phase selective growth of Cu12Sb4S13 and Cu3SbS4 thin films by chalcogenization of simultaneous sputtered metal precursorsFernandes, P. A.; Shongalova, A.; da Cunha, A. F.; Teixeira, J. P.; Leitão, J. P.; Cunha, J. M. V.; Bose, S.; Salomé, P. M. P.; Correia, M. R.articleopenAccess
Set-2018On the identification of Sb2Se3 using Raman scatteringShongalova, A.; Correia, M. R.; Vermang, B.; Cunha, J. M. V.; Salomé, P. M. P.; Fernandes, P. A.articleopenAccess
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