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Data | Título | Autor(es) | Tipo | Acesso |
---|---|---|---|---|
1999 | Photoluminescence between 3.36 eV and 3.41 eV from GaN epitaxial layers | Seitz, R.; Gaspar, C.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Poisson, M.A.; Beaumont, B. | conferenceObject |
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Data de Publicação
- 1 1999