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http://hdl.handle.net/10773/1942
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | Carvalho, Nuno Borges | por |
dc.contributor.advisor | Cabral, Pedro Miguel da Silva | por |
dc.contributor.author | Sá, Pedro Manuel Oliveira e | por |
dc.coverage.spatial | Aveiro | por |
dc.date.accessioned | 2011-04-19T13:49:53Z | - |
dc.date.available | 2011-04-19T13:49:53Z | - |
dc.date.issued | 2008 | por |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10773/1942 | - |
dc.description | Mestrado em Engenharia Eléctrónica e Telecomunicações | por |
dc.description.abstract | Esta tese insere-se na área da Electrónica e Telecomunicações, mais precisamente na área da electrónica de rádio-frequência. Destina-se a projectar e implementar um Amplificador de Potência, a operar na banda do 1GHz, utilizando transístores de Nitreto de Gálio. A tecnologia dos semicondutores tem sofrido um grande desenvolvimento, devido essencialmente ao aparecimento de novos semicondutores como o Nitreto de Gálio. Este apresenta uma elevada banda proibida e uma elevada mobilidade electrónica. Como resultado, são permitidas tensões de disrupção mais altas, proporcionando maior capacidade de potência de saída, bem como a utilização de frequências de operação mais elevadas. Assim, espera-se substituir os Amplificadores a Válvulas (TWTAs, Travelling Wave Tube Amplifiers) por Amplificadores de estado sólido, baseados em transístores de Nitreto de Gálio, em particular na indústria das Telecomunicações. | por |
dc.description.abstract | This thesis is framed in the electronics’ and telecommunications’ area, specifically in the radiofrequency electronics area. It is intended to plan and implement a Power Amplifier, operating in the 1 GHz band, using Gallium Nitride transistors. The semiconductor’s technology has had a great development, essentially due to the appearance of new semiconductors such as Gallium Nitride. The latter presents a high forbidden band and a high electronic mobility. As a result, higher breakdown voltages are allowed, assuring a greater exit power capacity, as well as the use of higher operation frequencies. Thus, one expects to replace the Tubes Amplifiers (TWTAs, Travelling Wave Tube Amplifiers ) by solid state Amplifiers, based on Gallium Nitride transistors, particularly in the Telecommunication’s industry. | - |
dc.language.iso | por | por |
dc.publisher | Universidade de Aveiro | por |
dc.relation.uri | http://opac.ua.pt/F?func=find-b&find_code=SYS&request=000223535 | por |
dc.rights | openAccess | por |
dc.subject | Engenharia electrónica | por |
dc.subject | Radiofrequência | por |
dc.subject | Amplificadores de potência | por |
dc.subject | Nitreto de gálio | por |
dc.title | Construção de um amplificador de potência usando transístores GaN | por |
dc.type | masterThesis | por |
thesis.degree.level | Mestrado | por |
thesis.degree.grantor | Universidade de Aveiro | por |
Appears in Collections: | UA - Dissertações de mestrado DETI - Dissertações de mestrado |
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