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http://hdl.handle.net/10773/7086| Título: | Photoluminescence between 3.36 eV and 3.41 eV from GaN epitaxial layers |
| Autor: | Seitz, R. Gaspar, C. Monteiro, T. Pereira, E. Poisson, M.A. Beaumont, B. |
| Palavras-chave: | Electron emission Electron energy levels Gas lasers Metallorganic chemical vapor deposition Monochromators Photoluminescence Photomultipliers Sapphire Substrates |
| Data: | 1999 |
| Editora: | MRS |
| Resumo: | In this study, an attempt was made to analyze the luminescence between 3.36 eV and 3.41 eV of nid hexagonal GaN samples grown on sapphire. Sample dependent emission lines with no donor-accetor pair (DAP) behavior were found. Based on the data, different kinds of recombination processes in the same spectral region were identified. |
| Peer review: | yes |
| URI: | http://hdl.handle.net/10773/7086 |
| DOI: | 10.1557/PROC-572-419 |
| ISSN: | 0272-9172 |
| Aparece nas coleções: | DFis - Comunicações |
Ficheiros deste registo:
| Ficheiro | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 1999 MRS Proc.pdf | versão pdf do editor | 3.37 MB | Adobe PDF | Ver/Abrir |
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