Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10773/17106
Title: Centros opticamente activos em filmes de GaN: a banda amarela
Author: Ramos, Carlos Augusto Xavier
Keywords: Física
Filmes finos de multicamadas - Propriedades ópticas
Nitreto de gálio
Deposição química de vapor
Bandas de energia
Defense Date: 1997
Publisher: Universidade de Aveiro
Abstract: O estudo dos nitretos, de elementos do grupo III, semicondutores transparentes no visível, tem registado nos últimos anos um enorme avanço, dado o crescente interesse pelos mesmos, quer na forma de slmes finos, quer em monocristais. Estes materiais apresentam-se como fortes candidatos para servirem de base a componentes de semicondutores a operarem na zona da radiação electromagnética do azul e ultra-violeta, zonas estas não abrangidas pelos semicondutores convencio&is. Assim espera-se um enorme impacto destes materiais na electrónica e optoelectrónica, em aplicações gráficas e de memórias de alta densidade. As suas fortes ligações atómicas torna- -os também candidatos para aplicações em equipamentos de elevada potência e elevada temperatura, sendo também resistentes à corrosão. Neste trabalho efectuou-se o estudo das emissões observadas sensivelmente a meio da banda de emissões proibidas (adiante designado como "gap") em epicamadas de GaN crescido sobre carboneto de silício e safira. A caracterização das amostras foi realizada utilizando como técnicas experimentais a espectroscopia em estado estacionário e resolvido no tempo, e catodoluminescência. A dependência com a temperatura da intensidade e os tempos de vida das emissões em estudo, permitiram estabelecer modelos de recombinação dos diferentes centros ópticos.
Description: Mestrado em Física Aplicada
URI: http://hdl.handle.net/10773/17106
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UA - Dissertações de mestrado

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