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http://hdl.handle.net/10773/15993| Título: | 2.2 eV luminescence in GaN |
| Autor: | Hofmann, D. M. Kovalev, D. Steude, G. Volm, D. Meyer, B. K. Xavier, C. Monteiro, T. Pereira, E. Mokov, E. N. Amano, H. Akasaki, I. |
| Palavras-chave: | Crystal defects Epitaxial growth Luminescence Magnetic resonance Mathematical models Metallorganic vapor phase epitaxy Sapphire Photoluminescence Silicon carbide Spectroscopy Substrates |
| Data: | 1996 |
| Editora: | Materials Research Society |
| Resumo: | The yellow Luminescence in GaN centered at 2.2 eV has been studied in various epitaxial layers grown by MOVPE on sapphire and by the sandwich sublimation method on 6H-SiC substrates. The photoluminescence and optically detected magnetic resonance results can be consistently explained by a recombination model involving shallow donors and deep donors. |
| Peer review: | yes |
| URI: | http://hdl.handle.net/10773/15993 |
| DOI: | 10.1557/PROC-395-619 |
| ISSN: | 0272-9172 |
| Aparece nas coleções: | DFis - Comunicações |
Ficheiros deste registo:
| Ficheiro | Descrição | Tamanho | Formato | |
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