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http://hdl.handle.net/10773/14801
Title: | Simultaneous synthesis of diamond on graphene for electronic application |
Other Titles: | Síntese simultânea de diamante em grafeno para aplicações eletrónicas |
Author: | Carvalho, Alexandre Faia |
Advisor: | Costa, Florinda Mendes da Alpuim, João Pedro dos Santos Hall Agorreta de |
Keywords: | Engenharia física Grafeno - Aplicações em electrónica Síntese química Nanocristais Filmes de diamante |
Defense Date: | 2015 |
Publisher: | Universidade de Aveiro |
Abstract: | Neste trabalho é descrito o estudo de estruturas híbridas de grafeno e diamante
nano-cristalino (GDH) sintetizadas por deposição química em fase vapor por
plasma de micro-ondas (MPCVD) em cobre. Foram investigadas técnicas de
controlo da nucleação do diamante nano-cristalino, tendo sido encontrados dois
processos com sucesso. Procedeu-se ainda à caracterização estrutural,
morfológica e ótica das amostras por análise de SEM, TEM, AFM, EFM, medidas
de transmitância UV-Vis e espetroscopia de Raman. A avaliação das
propriedades de transporte destes materiais foi efetuada pela medição da curva
de transferência de transístores de efeito de campo produzidos para o efeito,
sendo os GDHs produzidos o material ativo do canal. Foram observadas baixas
mobilidades devido à hidrogenação do grafeno. Em linha com resultados
teóricos da literatura, foram encontradas evidências de abertura do hiato
energético do grafeno, um potencial desenvolvimento para a aplicação em
dispositivos de comutação lógica. In this work, hybrid structures of graphene and nano-crystalline diamond (GDH) produced by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) in copper substrates are studied. The control of the diamond clusters nucleation was investigated, having two different approaches been identified as promising. Structural, morphological and optical characterization was carried out by SEM, TEM, AFM, EFM, UV-Vis transmittance, and Raman spectroscopy. The transport properties of this material were analyzed through the transfer curve of field-effect transistors with GDH channels. Low mobilities were found due to graphene hydrogenation. In line with theoretical studies, evidences were found of graphene band gap opening, a potential breakthrough for the development of logical switching devices. |
Description: | Mestrado em Engenharia Física |
URI: | http://hdl.handle.net/10773/14801 |
Appears in Collections: | UA - Dissertações de mestrado DFis - Dissertações de mestrado |
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