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 Cu2ZnSnS4 thin films for PV: comparison of two growth methods
Please use this identifier to cite or link to this item http://hdl.handle.net/10773/3498

title: Cu2ZnSnS4 thin films for PV: comparison of two growth methods
other titles: Filmes finos de Cu2ZnSnS4 para PV: comparação de métodos de crescimento
authors: Malaquias, João Corujo Branco
advisors: Cunha, António Ferreira da
keywords: Engenharia física
Filmes fino - Crescimento
Semicondutores
Células solares
Energia fotovoltaica
CZTS (Copper zinc tin sulphide)
issue date: 8-Jul-2010
publisher: Universidade de Aveiro
abstract: This work focuses on a comparison between Cu2ZnSnS4 thin films with precursors grown exclusively by evaporation or by evaporation and RF Magnetron Sputtering. On the films which were grown using the second method was either sputtered ZnS or elemental Zinc. The morphology and composition of the samples was studied by SEM/EDS and their structure by XRD. Both methods were successful in producing thin films containing Cu2ZnSnS4. The samples which had their precursors grown exclusively through evaporation exhibited the most compact morphology but also were the ones that had more undesirable crystalline phases. Regarding the remaining samples, in the case where elemental Zinc was sputtered no diffusion issues were observed, whereas the ones with ZnS presented a layer of this material on the surface. This report is divided into six chapters which contain the introduction, information relative to semiconductors, Cu2ZnSnS4 solar cells, the growth and characterization techniques, the experimental procedure, results and their analysis and ends with the conclusion.

Com o presente trabalho pretende-se efectuar uma comparação entre filmes finos de Cu2ZnSnS4 cujos precursores foram crescidos exclusivamente por evaporação ou por evaporação e pulverização catódica RF com magnetrão. A morfologia e composição das amostras foram estudadas por SEM/EDS e a sua estrutura por DRX. Com ambos os métodos conseguiu-se crescer filmes finos de Cu2ZnSnS4. As amostras cujos precursores foram crescidos exclusivamente através de evaporação apresentavam uma morfologia mais compacta, contudo eram as que apresentavam maior número de fases cristalinas indesejadas. Relativamente às restantes amostras, no caso em que Zinco foi depositado por pulverização catódica, não foram observados problemas de difusão, contudo o mesmo não se verificou para as que continham ZnS, sendo que estas apresentavam uma camada deste material na superfície dos filmes. Este documento encontra-se dividido em seis capítulos que incluem a introdução, informação relativa a semicondutores, células solares de Cu2ZnSnS4, as técnicas de crescimento e caracterização, o procedimento experimental, os resultados e a sua análise e termina com a conclusão.
description: Mestrado em Engenharia Física
URI: http://hdl.handle.net/10773/3498
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UA - Dissertações de mestrado

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