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http://hdl.handle.net/10773/23499
Title: | Caracterização ótica de nanofios de A1N implantados com európio |
Author: | Cardoso, José Pedro de Sousa |
Advisor: | Sedrine, Nabiha Ben Correia, Maria do Rosário Pimenta Monteiro, Teresa |
Keywords: | Engenharia física Nitretos Iões Optoelectrónica Fotoluminescência |
Defense Date: | 2017 |
Publisher: | Universidade de Aveiro |
Abstract: | Os nitretos do grupo-III dopados com iões de terras raras (TR) apresentam
propriedades luminescentes promissoras para aplicações na área da
optoelectrónica, nomeadamente em dispositivos emissores de luz. O ião
európio, no estado de carga trivalente, é conhecido pelas transições eletrónicas
intra-4f 6 na região espetral do laranja/vermelho. Este surge como potencial
candidato para as diversas aplicações nesta zona do espetro visível.
Nesta dissertação são estudadas as propriedades óticas de nanofios de AlN
implantadas com iões Eu3+. Os nanofios foram crescidos por epitaxia de feixe
molecular (MBE). A dopagem foi realizada por implantação iónica, sendo feito
um tratamento térmico posterior para permitir a ativação ótica dos iões e para
remover danos estruturais provocados pelo processo balístico. De forma a
avaliar a influência da temperatura do tratamento térmico, este foi realizado a
diferentes temperaturas (1000 °C e 1200 °C). O estudo de camadas de AlN
implantados e tratados termicamente, nas mesmas condições dos nanofios, é
também, realizado para comparação.
A ativação ótica dos iões Eu3+ foi conseguida após a implantação e o tratamento
térmico, independentemente da temperatura e da estrutura (nanofios e
camadas). A transição D0 → F2
7
5 é a mais intensa em todas as amostras. Foram
identificados múltiplos centros óticos de Eu3+ nos nanofios de AlN cuja
dominância depende da temperatura de tratamento térmico. Na gama espetral
analisada, os centros dominantes exibem mecanismos de excitação idênticos
abaixo do hiato do AlN. A análise da dependência da intensidade da
luminescência intra-4f 6 em função da temperatura (14 K até à temperatura
ambiente) evidenciou diferentes comportamentos para o caso dos nanofios. No
caso da amostra recozida a temperatura mais baixa ocorre uma diminuição
gradual da intensidade de emissão sendo que à temperatura ambiente se
observa 50% da intensidade medida a 14 K. Para a amostra tratada
termicamente a 1200 °C observa-se uma extinção da intensidade da
luminescência a baixas temperaturas (até 120 K), aumentando para
temperaturas mais altas como resultado de um povoamento térmico. Para este
caso, a intensidade da emissão registada à temperatura ambiente é cerca de
80% do valor registado a 14 K.
Complementarmente, o estudo das propriedades estruturais dos nanofios revela
a existência de diferentes estados de tensão provocados pela implantação
iónica e pelo tratamento térmico posterior.
Embora preliminar, o trabalho realizado apresenta-se promissor para potenciar
o desenvolvimento de nanoemissores no vermelho baseados nestas estruturas Group-III nitrides doped with rare-earth (RE) ions present promising luminescent properties for optoelectronic applications, for example in light emitting devices. In the trivalent charge state, europium is known to have its well-defined intra-4f 6 emissions in the orange/red spectral regions. Therefore, it is considered as a potential candidate for optoelectronic devices operating in this region of the visible spectrum. This thesis is focused on the study of AlN nanowires implanted with Eu3+ ions, more specifically on their optical properties. The AlN nanowires were grown by molecular beam epitaxy (MBE). The doping of the Eu3+ ions in AlN was achieved by ion implantation. The as-implanted AlN nanowires were further submitted to thermal annealing (at two different temperatures, 1000 °C and 1200 °C) in order to achieve Eu3+ optical activation and to remove structural damages induced by ion implantation. AlN layers, implanted and thermally treated under the same conditions as the AlN nanowires, were also studied for comparison. It was found that optical activation was achieved after implantation and thermal annealing (regardless of treatment temperature) for nanowires and layers. In addition, the most intense transition related with Eu3+ ion in all the samples is found to be D0 → F2 7 5 . Several Eu3+ centres were identified in the nanowires, which dominance depends on the treatment temperature. In the analysed spectral range, the dominant Eu3+ optical centres exhibit the same excitation mechanisms. The temperature dependence (from 14 K to room temperature) analysis of the intra-4f 6 luminescence intensity has evidenced different behaviours for the nanowires. In the case of the sample annealed at the lowest temperature (1000 °C), a decrease of the emission intensity is seen, for which 50% of the average intensity at 14 K is still observed at room temperature. For the sample annealed at 1200 °C, the emission intensity vanishes for low temperatures up to 120 K, then increasing at higher temperatures as a result of thermal population. For this case, the emission intensity recorded at room temperature is about 80% of the average intensity at 14 K. Furthermore, the study of the structural properties of nanowires reveals the existence of different strain states upon ion implantation and post-implantation thermal annealing. Although the work presented in this thesis is preliminary, the obtained results are very promising for potential development of red nano-emitters based on such structures. |
Description: | Mestrado em Engenharia Física |
URI: | http://hdl.handle.net/10773/23499 |
Appears in Collections: | UA - Dissertações de mestrado DFis - Dissertações de mestrado |
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