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19962.2 eV luminescence in GaNHofmann, D. M.; Kovalev, D.; Steude, G.; Volm, D.; Meyer, B. K.; Xavier, C.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Mokov, E. N.; Amano, H.; Akasaki, I.
2005Annealing properties of ZnO films grown using diethyl zinc and tertiary butanolWang, J.Z.; Peres, M.; Scares, J.; Gorochov, O.; Barradas, N.P.; Alves, E.; Lewis, J.E.; Fortunato, E.; Neves, A.; Monteiro, T.
2011Bright room-temperature green luminescence from YSZ:Tb3+Soares, M.R.N.; Nico, C.; Rodrigues, J.; Peres, M.; Soares, M.J.; Fernandes, A.J.S.; Costa, F.M.; Monteiro, T.
1997Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphireMonteiro, T.; Pereira, E.; Correia, M.R.; Xavier, C.; Hofmann, D.M.; Meyer, B.K.; Fischer, S.; Cremades, A.; Piqueras, J.
1996Cathodoluminescence study of GaN epitaxial layersCremades, A.; Piqueras, J.; Xavier, C.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Meyer, B.K.; Hofmann, D.M.; Fischer, S.
2003Characterisation of GaN films grown on sapphire by low-temperature cyclic pulsed laser deposition/nitrogen rf plasmaSanguino, P.; Niehus, M.; Melo, L.V.; Schwarz, R.; Koynov, S.; Monteiro, T.; Soares, J.; Alves, H.; Meyer, B.K.
2000Comparative study of n-p GaN/SiC heterojunction and p-n 6H-SiC homojunction diodesVacas, J.; Lahrèche, H.; Monteiro, T.; Caspar, C.; Pereira, E.; Brylinski, C.; Di Forte-Poisson, M.A.
1991Complex formation in Mn-doped GaP samplesMonteiro, T.; Pereira, E.
Jan-2001Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa1 - xN layersPereira, S.; Correia, M.R.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Alves, E.; Sequeira, A.D.; Franco, N.
2010Damage recovery and optical activity in europium implanted wide gap oxidesAlves, E.; Marques, C.; Franco, N.; Alves, L.C.; Peres, M.; Soares, M.J.; Monteiro, T.
2010Defect studies and optical activation of Yb doped GaNLorenz, K.; Alves, E.; Magalhes, S.; Peres, M.; Monteiro, T.; Kozanecki, A.; Valerio, M.E.G.
22-Mar-2008Defect studies on fast and thermal neutron irradiated GaNLorenz, K.; Marques, J.G.; Franco, N.; Alves, E.; Peres, M.; Correia, M.R.; Monteiro, T.
1991Delayed luminescence of the H3 centre in diamondPereira, E.; Monteiro, T.
2008Development and characterization of light-emitting diodes (LEDs) based on ruthenium complex single layer for transparent displaysSantos, G.; Fonseca, F.; Andrade, A.M.; Patrocínio, A.O.T.; Mizoguchi, S.K.; Iha, N.Y.M.; Peres, M.; Monteiro, T.; Pereira, L.
1998Distribution of 1.68 eV emission from diamond filmsCorreia, M.R.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Costa, L.C.
2000Effect of crystal orientation on defect production and optical activation of Er-implanted sapphireAlves, E.; Silva, M.F.; Soares, J.C.; Monteiro, T.; Soares, J.; Santos, L.
15-Dec-2010Effect of Eu2O3 doping on Ta2O5 crystal growth by the laser-heated pedestal techniqueSaggioro, B.Z.; Andreeta, M.R.B.; Hernandes, A.C.; MacAtro, M.; Peres, M.; Costa, F.M.; Monteiro, T.; Franco, N.; Alves, E.
2011Effect of processing method on physical properties of Nb2O5Soares, M.R.N.; Leite, S.; Nico, C.; Peres, M.; Fernandes, A.J.S.; Graça, M.P.F.; Matos, M.; Monteiro, R.; Monteiro, T.; Costa, F.M.
2006Effect of the matrix on the 1.5 μm photoluminescence of Er-doped silicon quantum dotsCerqueira, M.F.; Stepikhova, M.; Losurdo, M.; Monteiro, T.; Soares, M.J.; Peres, M.; Neves, A.; Alves, E.
1999Electrical and photoelectronic properties of hexagonal GaNSeitz, R.; Gaspar, C.; Monteiro, T.; Pereira, L.; Pereira, E.; Schön, Q.; Heuken, M.
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