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2012AIN content influence on the properties of Al x Ga1- x N doped with Pr ionsFialho, M.; Magalhães, Sérgio; Alves, L.C.; Marques, C.; Maalej, R.; Monteiro, Teresa; Lorenz, K.; Alves, E.
2005Annealing properties of ZnO films grown using diethyl zinc and tertiary butanolWang, J.Z.; Peres, M.; Scares, J.; Gorochov, O.; Barradas, N.P.; Alves, E.; Lewis, J.E.; Fortunato, E.; Neves, A.; Monteiro, T.
Jan-2001Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa1 - xN layersPereira, S.; Correia, M.R.; Monteiro, T.; Pereira, E.; Alves, E.; Sequeira, A.D.; Franco, N.
2016Composition measurement of epitaxial ScxGa1-xN filmsTsui, H. C. L.; Goff, L. E.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Pereira, S.; Palgrave, R. G.; Davies, R. J.; Beere, H. E.; Farrer, I.; Ritchie, D. A.; Moram, M. A.
2015Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contentsMagalhaes, S.; Watson, I. M.; Pereira, S.; Franco, N.; Tan, L. T.; Martin, R. W.; O'Donnell, K. P.; Alves, E.; Araujo, J. P.; Monteiro, T.; Lorenz, K.
2010Damage recovery and optical activity in europium implanted wide gap oxidesAlves, E.; Marques, C.; Franco, N.; Alves, L.C.; Peres, M.; Soares, M.J.; Monteiro, T.
2010Defect studies and optical activation of Yb doped GaNLorenz, K.; Alves, E.; Magalhes, S.; Peres, M.; Monteiro, T.; Kozanecki, A.; Valerio, M.E.G.
22-Mar-2008Defect studies on fast and thermal neutron irradiated GaNLorenz, K.; Marques, J.G.; Franco, N.; Alves, E.; Peres, M.; Correia, M.R.; Monteiro, T.
2013Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO filmsPeres, M.; Magalhaes, S.; Soares, M. R.; Soares, M. J.; Rino, L.; Alves, E.; Lorenz, K.; Correia, M. R.; Lourenco, A. C.; Monteiro, T.
2014Doping of Ga2O3 bulk crystals and NWs by ion implantationLorenz, K.; Peres, M.; Felizardo, M.; Correia, J. G.; Alves, L. C.; Alves, E.; Lopez, I.; Nogales, E.; Mendez, B.; Piqueras, J.; Barbosa, M. B.; Araujo, J. P.; Goncalves, J. N.; Rodrigues, J.; Rino, L.; Monteiro, T.; Villora, E. G.; Shimamura, K.
2010Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structuresMagalhães, Sérgio; Lorenz, K.; Franco, N.; Barradas, N.P.; Alves, E.; Monteiro, Teresa; Amstatt, B.; Fellmann, V.; Daudin, B.
2000Effect of crystal orientation on defect production and optical activation of Er-implanted sapphireAlves, E.; Silva, M.F.; Soares, J.C.; Monteiro, T.; Soares, J.; Santos, L.
15-Dec-2010Effect of Eu2O3 doping on Ta2O5 crystal growth by the laser-heated pedestal techniqueSaggioro, B.Z.; Andreeta, M.R.B.; Hernandes, A.C.; MacAtro, M.; Peres, M.; Costa, F.M.; Monteiro, T.; Franco, N.; Alves, E.
2006Effect of the matrix on the 1.5 μm photoluminescence of Er-doped silicon quantum dotsCerqueira, M.F.; Stepikhova, M.; Losurdo, M.; Monteiro, T.; Soares, M.J.; Peres, M.; Neves, A.; Alves, E.
2010Erbium-doped nanocrystalline silicon thin films produced by RF sputtering - Annealing effect on the Er emissionCerqueira, M.F.; Monteiro, Teresa; Soares, Manuel; Kozanecki, A.; Alpuim, P.; Alves, E.
2002Erbium implantation in strontium titanateAraújo, J.P.; Wahl, U.; Alves, E.; Correia, J.G.; Monteiro, T.; Soares, J.; Boemare, C.
21-Oct-2010Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantationMagalhães, S.; Peres, M.; Fellmann, V.; Daudin, B.; Neves, A.J.; Alves, E.; Monteiro, T.; Lorenz, K.
2001Green and red emission in Ca implanted GaN samplesMonteiro, T.; Boemare, C.; Soares, M.J.; Alves, E.; Liu, C.
Sep-2005A green-emitting CdSe/poly(butyl acrylate) nanocompositePeres, M.; Costa, L. C.; Neves, A.; Soares, M. J.; Monteiro, T.; Esteves, A. C.; Barros-Timmons, A.; Trindade, T.; Kholkin, A.; Alves, E.
Mar-2001Green, red and infrared Er-related emission in implanted GaN:Er and GaN:Er,O samplesMonteiro, T.; Soares, J.; Correia, M.R.; Alves, E.
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